6月30日消息，三星电子今日宣布，基于3纳米(nm)全环绕栅极(Gate-All-AroundT，简称 GAA)制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。
3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。
与三星5nm工艺相比，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%;而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。
【和瑞财经网-www.horise.com.cn】 关键词: 免责声明： 本网站资讯内容，均来源于合作媒体和企业机构，属作者个人观点，仅供读者参考。 本网站对站内所有资讯的内容、观点保持中立，不对内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。